来源：环球网

【环球网科技综合报道】2月5日消息，由极钼芯科技联合南京大学在二维半导体领域近日取得重大技术突破，相关成果再度登上国际顶级学术期刊《Science》。这是双方三个月内第二次斩获该领域顶尖学术认可，标志着我国成功攻克二维半导体量产化的生长动力学调控瓶颈，实现了从"单晶制备"到"可量产化"的关键跨越，为打通实验室技术到产业应用的核心环节奠定了坚实基础。

此次突破聚焦产业化工艺核心难题，研发团队创新性地推出定制化Oxy-MOCVD 200 ultra设备，构建"氧辅助预反应动力学调控"与"无氢低碳硫源输运"双系统，从源头重构生长环境，彻底破解了二维半导体晶畴尺寸小、生长速率低、碳污染等量产关键瓶颈。这一技术升级实现了从"实现生长"到"优化生长"的战略升维，此前双方已于2025年10月突破衬底工程，成功实现6英寸单晶普适制备。

两项核心突破共同构建起自主可控的完整产业化技术闭环，形成驱动二维半导体产业化的"双引擎"。在装备自主化方面，此次采用的Oxy-MOCVD设备实现100%国产化，验证了我国高端半导体装备从"自主可用"向"引领定制"的跨越式发展；在技术应用方面，经调控后的二维半导体材料在均匀性、纯度及电学性能上实现质的提升，可无缝对接下一代埃米级芯片、柔性显示等高需求场景，将大幅缩短材料到芯片的产业化进程。

在全球竞逐后摩尔时代技术制高点的背景下，该成果彰显了中国在前沿科技领域的全链条创新实力。研发团队通过"工艺与设备深度协同"的原创模式，完成了从原理创新、技术实现到装备定义的全链条突破，印证了我国在二维半导体材料和设备研发领域的引领地位。（纯钧）